随着2D技术微缩瓶颈凸显，2016年三星、东芝、美光、SK海力士等纷纷扩大或加快3D NAND投产。三星最早在2013年以24层投入3D NAND投产，2016年主要量产32层和48层3D NAND，将在年底前开始出货64层3D NAND，预计年底前3D NAND生产比重可提升至40%。2016年除了三星，东芝、美光、SK海力士等也在加快投入3D NAND，东芝已出样64层3D NAND，美光和SK海力士在2017年也将分别投入64层和72层3D NAND生产，同时东芝Fab 2、美光Fab 10x已 开始进入投产阶段，再加上SK海力士M14在2017年投产，3D NAND市场竞争已进入白热化阶段。 
三星为了稳固在3D NAND市场的领先地位，以及满足市场对高存储密度和高性能NAND Flash的需求，据韩媒etnews 4日报导称，三星平泽厂将提前三个月投产，目前平泽厂的建筑工事进入尾声 ，正修筑工厂外墙，预计12月完工，紧接着开始设备投资，购买无尘室设施和晶圆生产仪器等。据早期报道，三星在2015年投资兴建平泽存储器工厂，第一阶段投资规模达15.6兆韩元，再投入10兆韩元，总投资规模将达25兆韩元以上，主要用于发展10nm工艺和3D技术，预计在2017年投入生产，未来将成为三星重要存储器生产基地。三星除了2013年在中国西安兴建3D NAND专用工厂，还在2016上半年将华城Fab 16改造成48层3D NAND产线，以及计划在2016年底启动Fab 17产线量产3D NAND，现在提前平泽厂的投入时间，可以预见三星在2017年的3D NAND产能将会大增。三星是NAND Flash芯片最大的供应商，其工厂扩产，市场策略等都会对市场产生较大的影响，尤其是在NAND Flash供货紧缺的时候。2016年由于2D技术微缩瓶颈，2D NAND产能增加受限，再加上三星将Fab 16产线转产3D NAND，导致2D NAND产出减少，同时3D NAND良率又不高，面对智能型手机和SSD对高容量需求增加，让市场一直处于紧张的供货状态，刺激闪存卡、eMMC、SSD等闪存产品价格持续走高，截止至9月底，2016年NAND Flash综合价格指数涨幅已累积高达25%。随着三星扩产，3D NAND技术提升，以及东芝、美光、SK海力士等3D NAND产出增加，将会改善NAND Flash紧缺的市况，同时也增加了后期供过于求的危险。