东芝（TOSHIBA）旗下快闪存储器部门，最近常因分拆、出售消息上新闻版面，但是技术突破并未因此停歇。稍早前才发表包含96层堆叠的3D NAND Flash，以及首款基于3D NAND Flash制程生产的QLC类型颗粒等消息；而11日，东芝又再宣布3D NAND Flash结合TSV技术，单一颗粒容量将能达到1TB。

2015年夏天，东芝曾发表TSV（Through-Silicon Via，直通硅晶穿孔）技术导入应用消息，取代传统打线接合（Wire bonding）的裸晶堆叠封装技术，能够提高产品资料传输吞吐量，并且降低消耗功率。11日又再宣布，正火热的3D NAND Flash率先导入TSV技术应用，传输速率、容量、功耗表现又将创下新纪录。

▲ 东芝将TSV技术导入至3D NAND Flash产品线应用

这款BiCS FLASH本质上是属于TLC架构类型，将以48层堆叠3D NAND Flash制程，结合TSV技术进行生产，其Toggle DDR介面具有1066Mbps传输速率。东芝所标示裸晶堆叠封装数量，虽然维持既有的8、16层，但是已经足以提供单颗容量达512GB、1TB产品，意味单一裸晶容量有512Gbit（64GB）这么大。

▲TSV技术应用示意图

东芝今年2月曾发表512Gbit产品讯息，但那是基于64层堆叠的3D NAND Flash，现在导入TSV技术应用的3D NAND Flash只有48层，可见未来还有容量密度提升空间。东芝已在6月试产，正式样品将于下半年陆续出货，并预定8月在美国举行的Flash Memory Summit活动，展出与介绍这项技术产品。