三星电子将投入2.5兆韩元于韩国京畿道的华城17产线，用于量产3D NAND，最快6月底向设备厂商下单，以月晶圆（(12英寸为基准)）投片量为4万片的生产规模，将在2016年底开始量产。
三星华城17产线第一阶段投产的是DRAM，月晶圆投片量为4万片左右，第二阶段用于投产3D NAND。分析认为，一方面是为了应对市场对更大容量的存储需求，另一方面为了稳固3D技术的领先地位。
需求上，2016上半年很多智能型手机已内嵌128GB容量，消费者也更倾向于向更高容量升级，下半年苹果新iPhone将增加256GB大容量，且最低搭配容量从32GB起跳，预计容量分配为256GB（10%）、128GB（50% ）、64GB（30%）、32GB（10%），将在7月份开始备货，三星Galaxy Note 6也有望增加256GB容量，同时消费市场SSD也在向更高容量普及，显然市场对高容量NAND Flash的需求在增加。
3D技术基于48层3D NAND容量可提升至256Gb，三星3D技术相对成熟，因此苹果新iPhone 256GB机型由三星独家供货。三星除了西安厂量产32层3D NAND，已将韩国华城Fab16的16nm 2D NAND改造成20nm 48层3D V-NAND产线，并将于下半年投产。现在，又将韩国京畿道的华城17产线用于量产3D NAND，也是为了准备足够充足的NAND Flash产能满足苹果新iPhone和SSD的需求。
在3D NAND技术上，虽然三星目前处于领先地位，但由于2D NAND缺乏成本竞争力，东芝/SanDisk、镁光、SK海力士等都在加快向3D技术切换，其中东芝/SanDisk的3D技术采用的也是48层；SK海力士以36层 3D NAND为主，并将在年内完成48层3D NAND小批量生产；镁光以32层量产为主，并积极向48层或更高的3D NAND技术推进。
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